存儲芯片概念震蕩走強(qiáng)，芯片ETF漲0.46%，長電科技漲超4%

6月12日，消費電子方向持續(xù)活躍，芯片、半導(dǎo)體板塊震蕩走強(qiáng)。受芯片股提振，截至10:24，芯片ETF（159995)盤中漲幅0.46%，持倉股長電科技漲超4%，滬硅產(chǎn)業(yè)、盛美上海等紛紛走強(qiáng)。

消息面上，高盛分析師公布報告預(yù)計，全球HBM（高帶寬存儲芯片）市場規(guī)模將在2023~2026年期間以約100%的復(fù)合年增長率增長，并在2026年達(dá)到300億美元，較3月份的預(yù)測上調(diào)30%以上。

國金證券認(rèn)為，目前行業(yè)整體已渡過“主動去庫存”階段，進(jìn)入“被動去庫存”階段，但隨著需求的復(fù)蘇，行業(yè)整體有望開啟積極備貨，周期步入上行通道，重點看好AI帶動的GPU、HBM、DDR5、交換芯片，格局相對較好的存儲模組、數(shù)字Soc、驅(qū)動IC、射頻及CIS率先出現(xiàn)基本面改善，同時建議關(guān)注MCU、模擬等芯片見底訊號。

資料顯示，芯片ETF（159995）跟蹤國證芯片指數(shù)，30只成分股集合A股芯片產(chǎn)業(yè)中材料、設(shè)備、設(shè)計、制造、封裝和測試等龍頭企業(yè)，其中包括中芯國際、寒武紀(jì)、長電科技、北方華創(chuàng)等。